Table des matières
- 1 Quelle est la cause de la barrière de potentiel de la diode?
- 2 Quel est l’intérêt technologique des jonctions PN?
- 3 Comment se produit le phénomène de claquage d’une jonction PN?
- 4 Comment obtenir une jonction PN?
- 5 Quelle est la largeur de la jonction?
- 6 Quelle est la polarisation inverse de la jonction?
Quelle est la cause de la barrière de potentiel de la diode?
Le potentiel de barrière existe dans la région d’épuisement et non dans la diode; la région d’existence des lignes de champ électrique est donc limitée à la région d’épuisement.
Quel est l’intérêt technologique des jonctions PN?
de la jonction est fortement non linéaire : c’est celle d’une diode. La physique des jonctions p-n a de grandes utilités pratiques dans la création de dispositifs à semi-conducteurs. La diode redresseuse de courant ainsi que la plupart des autres types de diodes contiennent ainsi une jonction p-n.
Où Trouve-t-on les jonctions PN?
On appelle jonction P-N la surface de contact entre deux semi-conducteurs dopés différemment, l’un ayant subi un dopage (positif) de type P (avec du bore ou de l’aluminium), l’autre ayant subi un dopage (négatif) de type N (avec du phosphore ou de l’arsenic), l’ensemble constituant une diode, c’est-à-dire un composant …
Pourquoi doper le silicium?
L’intérêt est d’obtenir un semi-conducteur ayant une plus grande conductivité électrique. Les schémas suivants présentent des exemples de dopage du silicium respectivement par du phosphore (dopage N) et du bore (dopage P). Dans le cas du phosphore (à gauche), un électron supplémentaire est amené.
Comment se produit le phénomène de claquage d’une jonction PN?
Le claquage survient pour une tension inverse provoqué par :
- un phénomène de Zener si (pour des jonctions en silicium) V c < 5 V .
- un phénomène d’avalanche si V c > 7 V .
Comment obtenir une jonction PN?
En juxtaposant une zone dopée P et une zone dopée N à l’intérieur d’un cristal de semiconducteur, comme sur la figure ci-contre, on obtient une jonction PN.
Qu’est-ce qui crée le déplacement des porteurs dans une jonction PN?
Lorsque les trous et les électrons baignent dans le champ électrique créé par la mise sous tension de la jonction, ils se déplacent et génèrent ainsi le courant de conduction : Il est évident que le courant total est constant dans toute la jonction.
Quelle est la caractéristique de la jonction P-n?
La caractéristique I(V) de la jonction est donc fortement non linéaire : c’est celle d’une diode. La physique des jonctions p-n a de grandes utilités pratiques dans la création de dispositifs à semi-conducteurs. La diode redresseuse de courant ainsi que la plupart des autres types de diodes contiennent ainsi une jonction p-n.
Quelle est la largeur de la jonction?
La largeur de la zone de déplétion varie avec la tension appliquée de part et d’autre de la jonction. Plus cette zone est petite, plus la résistance de la jonction est faible. La caractéristique I(V) de la jonction est donc fortement non linéaire : c’est celle d’une diode.
Quelle est la polarisation inverse de la jonction?
En polarisation inverse, c’est la partie « P » de la jonction qui a un potentiel négatif, comparé à la partie « N ». Cela va engendrer une différence de potentiel au niveau de la jonction qui sera négative, représenté ci-dessous par le graphique de la densité volumique des charges.
Est-ce que la jonction est polarisée?
Si la tension passe de la zone P à la zone N, la jonction est alimentée en sens inverse. Pour une jonction non polarisée, il y a alignement des bandes car les deux semi-conducteurs font partie du même réseau cristallin.
